中國科學院微電子研究所成立于1958年，通過長期不懈的努力，已成為國內微電子領域最重要的研發(fā)機構之一。為了加強學科的發(fā)展，現誠聘相關專業(yè)“百人計劃”研究人員。

一、招聘崗位及崗位職責

(一)、率先行動百人計劃學術帥才(a類)

硅器件與電路技術學術帶頭人1人：負責硅器件與集成電路方向的戰(zhàn)略布局和研究方向攻關，負責項目的調研、組織、申報及執(zhí)行，負責科研成果的推廣及產業(yè)化，負責協(xié)調并解決各項工作中的問題，負責該方向研究生的培養(yǎng)與管理等。

物聯(lián)網關鍵技術學術帶頭人1人：負責物聯(lián)網關鍵技術的戰(zhàn)略布局和研究方向攻關，負責項目的調研、組織、申報及執(zhí)行，負責科研成果的推廣及產業(yè)化，負責協(xié)調并解決各項工作中的問題，負責該方向研究生的培養(yǎng)與管理等。信息源:免費招聘網_www.rcxx.com_淘才招聘網

(二)、率先行動百人計劃技術英才(b類)

三維存儲器器件研究正高級工程師1人：負責三維存儲器器件特性特別是存儲性能和可靠性特性優(yōu)化等關鍵技術的研究和應用，開展三維存儲器新型結構、材料和相關工藝模塊的研發(fā);器件特性和器件可靠性評估方法的標準化制定;器件建模和計算機輔助設計，打造一支具有較高技術水平的專業(yè)存儲器器件研發(fā)隊伍。信息源:免費人才網_www.rcxx.com_淘才招聘網

高可靠器件研究正高級工程師1人：負責高可靠cmos工藝trench溝槽和sti等隔離工藝和可靠性特性優(yōu)化等關鍵技術的研究和應用,開展高可靠cmos器件新型結構和相關工藝模塊的研發(fā), 開展高可靠cmos器件esd保護新結構和新工藝模塊的研發(fā);開展器件特性和器件可靠性評估方法的標準研究;進行器件建模和計算機輔助設計，打造一支具有較高技術水平專業(yè)的高可靠mos器件研發(fā)隊伍。

(三)、率先行動百人計劃青年俊才(c類)

1、中國科學院eda中心

該研發(fā)中心主要研究方向為：先進集成電路設計及eda技術、物聯(lián)網系統(tǒng)架構與核心芯片研發(fā)、網絡化產業(yè)公共服務平臺。是中國科學院面向全院集成電路與系統(tǒng)設計領域科研與教育的網絡化公共平臺，面向全國開展技術服務。

2、集成電路先導工藝研發(fā)中心

該研發(fā)中心圍繞集成電路先導工藝技術研究，致力于cmos前沿工藝及其它硅基集成電路相關技術研究，是我國集成電路前沿研究領域的中堅力量，已做出了多項代表國家集成電路工藝研究水平的成果，擁有凈化面積約3000平米的8英寸和4英寸先導工藝研發(fā)平臺，其中8英寸研發(fā)線采用工業(yè)界標準的工藝設備，并在多個關鍵模塊上擁有特色工藝能力。

3、系統(tǒng)封裝與集成研發(fā)中心

該研發(fā)中心主要從事先進電子封裝與集成技術的研究與開發(fā)。主要研究方向包括：系統(tǒng)封裝設計研究、中道晶圓級封裝技術、先進封裝基板技術、先進微組裝技術、可靠性與失效分析研究、光互連集成技術。

4、中科新芯三維存儲器研發(fā)中心

該研發(fā)中心主要從事存儲器架構與集成技術研究、存儲器器件與可靠性技術研究、存儲器模型模擬技術研究、存儲器測試表征技術研究、存儲器芯片設計技術研究。

5、通信與信息工程研發(fā)中心

該研發(fā)中心主要面向智能工業(yè)、智能醫(yī)療和智能電網等核心應用領域，開展mems紅外傳感器設計、低功耗處理器芯片、電力線與物聯(lián)網通信芯片、高速接口ip核、高性能數?；旌蟟p核、智能傳感器接口與預處理電路、高精度微波空間感知技術以及生物光電傳感器系統(tǒng)的應用開發(fā)。

6、新能源汽車電子研發(fā)中心

該研發(fā)中心主要圍繞新能源汽車電子核心技術，開展車載衛(wèi)星導航芯片、電池管理芯片、高可靠圖像傳感器芯片、大規(guī)模soc芯片設計，智能輔助駕駛、新能源汽車電控技術、車聯(lián)網整體解決方案等研究。

7、健康電子研發(fā)中心

該研發(fā)中心主要開展微電子與生物醫(yī)學跨學科協(xié)同創(chuàng)新，通過核心芯片與器件、移動醫(yī)療終端以及健康管理系統(tǒng)研發(fā)，推出普惠式健康管理產品及整體解決方案;具體研發(fā)內容包括，腫瘤細胞捕獲與檢測技術、基因測序技術、生物傳感器與芯片實驗室系統(tǒng)、心電圖在線分析系統(tǒng)、遠程聯(lián)合診療平臺、超寬帶微波共焦成像技術等。

8、智能感知研發(fā)中心

該研發(fā)中心主要面向智能工業(yè)、智能醫(yī)療和智能電網等核心應用領域，開展mems紅外傳感器設計、低功耗處理器芯片、電力線與物聯(lián)網通信芯片、高性能數模混合ip核、智能傳感器接口與預處理電路、高精度微波空間感知技術以及生物光電傳感器系統(tǒng)的應用開發(fā)。

9、硅器件與集成研發(fā)中心

該研發(fā)中心面向半導體硅基器件及集成電路研究，主要開展高可靠硅基集成電路、高可靠vdmos器件、高可靠igbt器件、高可靠霍爾電路、高可靠存儲器電路、高可靠接口電路和soc電路等方向的研發(fā)工作。

10、高頻高壓期間與集成研發(fā)中心

該研發(fā)中心的主要研究方向包括：gan功率器件與mmic研究、inp基高頻、高速器件與電路研究、寬禁帶電力電子器件研究、超高速數?；旌想娐费芯?、硅基高遷移率ge/iii-v cmos技術研究、新型高效太陽能電池技術研究、新型石墨烯電子器件研究。

11、微電子儀器設備研發(fā)中心

該研發(fā)中心的主要研究方向包括：新型集成電路制造與測試裝備、新型太陽能電池制造技術和裝備、高效率led制造技術和裝備、光學檢測裝備、mems加工技術、裝備及關鍵的射頻功率源系統(tǒng)技術。

12、微電子器件與集成技術重點實驗室

重點實驗室圍繞微電子學科前沿和產業(yè)面臨的基礎問題，開展1)新結構新材料存儲和邏輯、2)新材料、新原理多功能融合的信息器件、3)納米集成技術的基礎問題，三個研究方向相關關聯(lián)、互為支撐。

二、 應聘條件

1、a類應具有在海外知名大學、國際知名科研機構或企業(yè)擔任教授及相當職位的任職經歷;在本學科領域有較深的學術造詣，具有廣泛的國際學術影響力，受到國際同行的普遍認可;年富力強，具有領軍才能和團隊組織能力。符合中國科學院率先行動“百人計劃”管理實施細則規(guī)定的招聘條件。詳細情況可登錄(http://www.pe.cas.cn/)網站介紹。

2、b類應為掌握關鍵技術，在海外從事工程技術類研發(fā)，或從事重大科學裝置建設、儀器設備研發(fā)等相關工作3年(含)以上的中青年杰出人才;能夠解決關鍵技術問題、推動技術創(chuàng)新，并取得過一流成果。符合中國科學院率先行動“百人計劃”管理實施細則規(guī)定的招聘條件。詳細情況可登錄(http://www.pe.cas.cn/)網站介紹。

3、c類應為具有博士學位，在海外知名大學、科研機構等學習或工作3年(含)以上的優(yōu)秀青年人才，特別優(yōu)秀的，海外學習或工作年限可適當放寬;在本研究領域已嶄露頭角，做出過具有突出創(chuàng)新思想的研究成果;具有優(yōu)良的科技創(chuàng)新潛質和較好的團隊協(xié)作能力;申報時取得博士學位時間未超過5年。符合中國科學院率先行動“百人計劃”管理實施細則規(guī)定的招聘條件。詳細情況可登錄(http://www.pe.cas.cn/)網站介紹。

三、應聘材料

1)個人簡歷，填寫<<中國科學院率先行動“百人計劃”申請表/備案表>>(可從http://www.pe.cas.cn/下載)。

2)發(fā)表的論著目錄、論著引用情況及3～5篇代表性論文。

3)相關證明材料(已取得的重要科研成果(含專利)證明、國內外任職情況證明、最高學位證書、身體健康狀況證明等)。

4)3位教授級國內外同行專家的推薦信。

5)對開展應聘學科科研工作的設想、計劃和要求。

四、聘期福利待遇

1)聘任相應專業(yè)技術崗位。

2)到崗后提供50-70萬元科研啟動經費;通過院“百人計劃”擇優(yōu)支持評審可獲得中科院科研經費的專項經費資助。

五、聯(lián)系方式

聯(lián)系人：王雷、白璐

電 話：010-82995540/010-82995699 傳 真：010-62021601

地 址：北京市朝陽區(qū)北土城西路3號 微電子研究所 人事處

郵政編碼：100029

e-mail：wanglei@ime.ac.cn/bailu@ime.ac.cn

網 址：http://www.ime.cas.cn/

原標題：中科院微電子所2016年度率先行動“百人計劃”招聘啟事
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